Please select your location and preferred language where available.
3D-flashgeheugen | “BiCS FLASH™”
KIOXIA levert op flash gebaseerde producten voor opslagtoepassingen van de volgende generatie. KIOXIA heeft meer dan 35 jaar geleden het NAND-flashgeheugen uitgevonden en is nu een van 's werelds grootste leveranciers van flashgeheugens, en blijft de technologie vooruit helpen.
KIOXIA-technologie loopt voorop op het gebied van opslag met hoge capaciteit
KIOXIA 3D-flashgeheugen "BiCS FLASH™" is een baanbrekende innovatie die voldoet aan de behoeften van datacentrische toepassingen zoals geavanceerde smartphones, pc's, SSD's en datacenters. Om aan de vraag naar hoge prestaties, hoge dichtheid en kostenefficiëntie te voldoen, hebben we een verscheidenheid aan geavanceerde technologieën geoptimaliseerd. Deze omvatten de technologie CBA (CMOS directly Bonded to Array) in het front-end proces en de montagetechnologie in het back-end proces.
CBA-technologie in het front-end proces
Met CBA-technologie wordt elke CMOS wafer en cell array wafer afzonderlijk in zijn geoptimaliseerde staat vervaardigd en vervolgens aan elkaar gehecht om een verbeterde bitdichtheid en een hoge NAND I/O-snelheid te leveren. De fabricage van de cel en randapparatuur maakt het mogelijk om elk ervan afzonderlijk te optimaliseren, waardoor de afweging tussen celbetrouwbaarheid en I/O-snelheid wordt geëlimineerd en een grote sprong voorwaarts wordt gemaakt in energie-efficiëntie, prestaties, dichtheid, kosteneffectiviteit en duurzaamheid.*1
Interview
High-density 3D flash memory using high-precision wafer bonding brings new value to storage
In recent years, flash memory manufacturers have focused primarily on developing technologies to increase the number of layers of memory cells and increase memory density. Each time a new generation of flash memory is released, the number of layers increases with some products boasting more than 200 layers. However, as Atsushi Inoue, Vice President of Memory Division at KIOXIA, explained, "Increasing the layers of memory cells is only one way of increasing capacity and memory density, and we are not exclusively preoccupied with the number of layers."
Montagetechnologie in het back-end proces
KIOXIA ontwikkelde een 8TB flashgeheugen met hoge capaciteit door 32 flashgeheugen-chips, elk met een capaciteit van 2TB, in één pakket te monteren. Deze geheugenoplossing werd mogelijk gemaakt door onze geavanceerde back-end processen, waaronder wafer thinning, materiaalontwerp en wire bonding-technologieën.
Interview
Leading the AI Evolution with Innovative 2mm Flash Memory Assembly Technology
32 memory dies assembled into a single package
The rapid growth of AI has accelerated demand for flash memory capacity. KIOXIA has successfully developed large-capacity 8 TB (terabyte) flash memory by assembling 32 pieces of 2 Tb (terabit) memory dies into a package less than 2 mm in height. This achievement was made possible with advanced assembly process technologies, including the technology for making wafers as thin as possible.
BiCS FLASH™ generatie 8 -technologie – Waarom CBA?
Met CBA-technologie wordt elke CMOS wafer en cell array wafer afzonderlijk in zijn geoptimaliseerde staat vervaardigd en vervolgens aan elkaar gehecht om een verbeterde bitdichtheid en een hoge NAND I/O-snelheid te leveren. De fabricage van de cel en randapparatuur maakt het mogelijk om elk ervan afzonderlijk te optimaliseren, waardoor de afweging tussen celbetrouwbaarheid en I/O-snelheid wordt geëlimineerd en een grote sprong voorwaarts wordt gemaakt in energie-efficiëntie, prestaties, dichtheid, kosteneffectiviteit en duurzaamheid.*1
BiCS FLASH™-technologieën
Belangrijkste functies*
Hogere opslagdichtheid per chip dan conventioneel flashgeheugen
Hogere lees-/schrijfsnelheid
Hogere betrouwbaarheid dan 2D (planair) NAND
Laag stroomverbruik
* Vergeleken met 2D planaire technologie
Beoogd gebruik
Efficiëntie van datacenters
BiCS FLASH™ 3D-flashgeheugen is ontworpen om de meest uitdagende datacenterproblemen aan te pakken:
Principe van 3D-flashgeheugenbediening
Het principe van 3D-flashgeheugenbediening wordt uitgelegd met CG-animatie (door de computer gegenereerd) door het te contrasteren met de manier waarop de zon schijnt (in het Japans met Engelse ondertiteling).
De schaalbare BiCS FLASH™ 3D Flash-geheugentechnologie van KIOXIA tilt de geheugencapaciteit naar het hoogste niveau dat tot nu toe is bereikt*2
TLC (drievoudige cel) en QLC (viervoudige cel) technologie
Het BiCS FLASH™ 3D flashgeheugenproductassortiment omvat zowel 3-bit-per-cel (TLC) als 4-bit-per-cel (QLC) technologie. QLC-technologie breidt de capaciteit aanzienlijk uit door het aantal bits voor gegevens per geheugencel van drie naar vier te verhogen. Een capaciteit van 4 terabyte (TB) kan in één pakket worden bereikt met behulp van BiCS FLASH™ QLC-technologie in een 16-chip gestapelde architectuur.
De drive naar een grotere geheugendichtheid en efficiëntie leiden
KIOXIA was de eerste speler in de sector die zich de succesvolle migratie van SLC-technologie naar MLC voorzag en zich erop voorbereidde, van MLC naar TLC en nu van TLC naar QLC.
De QLC-technologie van KIOXIA is ideaal voor toepassingen die opslagoplossingen met een hoge dichtheid en lagere kosten vereisen. De huidige QLC vermindert de voetafdruk met de hoogste dichtheid die beschikbaar is in één pakket waardoor een schaalbare oplossing mogelijk wordt gemaakt.
- Kenmerken en typische prestatieverbeteringen ten opzichte van de vorige generatie BiCS FLASH™ 3D TLC flashgeheugen.
- Bron: KIOXIA - persbericht van 3 juli 2024
Producten per applicatie
Of het nu gaat om autotoepassingen of compacte, high performance-georiënteerde pc's of cloudserver- en hyperscale datacenterimplementaties, door geavanceerde hoge prestaties, hoge dichtheid, laag vermogen, lage latentie, betrouwbaarheid en meer te leveren: KIOXIA-geheugen- en opslagoplossingen maken het succes van opkomende toepassingen mogelijk en stellen bestaande technologieën in staat hun verwachte potentieel te bereiken.
Leren en evalueren
Support
Please contact us if you have any technical questions, requests for materials, are interested in samples or purchases of business products (Memory, SSD), etc.
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
