Please select your location and preferred language where available.
SLC NAND-flashgeheugen
Oplossingen voor consumenten- en industrieel geïntegreerd geheugen
SLC (single-level cell) NAND-flashgeheugen blijft een integraal onderdeel van de totale markt in flashgeheugen. Het hoge uithoudingsvermogen maakt het bij uitstek geschikt voor een verscheidenheid aan toepassingen voor consumenten en de industrie, waarbij betrouwbaarheid en een lange levensduur belangrijk zijn.
KIOXIA SLC NAND-flashgeheugenproducten zijn verkrijgbaar in een reeks dichtheden en verschillende pakketopties om te voldoen aan de diverse vereisten van de embedded markt.
KIOXIA SLC NAND is een niet-vluchtig geheugen van 1 bits per cel en schrijft grote hoeveelheden gegevens op hoge snelheid; het biedt een groot uithoudingsvermogen en een hoge betrouwbaarheid van de schrijf-/wiscyclus.
KIOXIA BENAND™ is een SLC NAND-flashgeheugen met embedded ECC. BENAND™ verwijdert de belasting van ECC van de hostprocessor met behoud van de conforme interface, betrouwbaarheid en prestaties, dankzij het RAW SLC NAND-flashgeheugen.
De de volledige lijst met SLC NAND-flashgeheugen kan worden doorzocht op basis van kenmerken.
Producten per applicatie
Of het nu gaat om autotoepassingen of compacte, high performance-georiënteerde pc's of cloudserver- en hyperscale datacenterimplementaties, door geavanceerde hoge prestaties, hoge dichtheid, laag vermogen, lage latentie, betrouwbaarheid en meer te leveren: KIOXIA-geheugen- en opslagoplossingen maken het succes van opkomende toepassingen mogelijk en stellen bestaande technologieën in staat hun verwachte potentieel te bereiken.
Support
Please contact us if you have any technical questions, requests for materials, are interested in samples or purchases of business products (Memory, SSD), etc.
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
