Please select your location and preferred language where available.
Pamięć Flash 3D „BiCS FLASH™”
Firma KIOXIA dostarcza produkty oparte na pamięci flash do zastosowań w ramach pamięci masowej nowej generacji. KIOXIA, która wynalazła pamięć NAND flash ponad 35 lat temu, jest obecnie jednym z największych na świecie dostawców pamięci flash — i nadal rozwija tę technologię.
Technologia KIOXIA wyznacza drogę do przechowywania danych o dużej pojemności
KIOXIA 3D Flash Memory „BiCS FLASH™” to przełomowa innowacja, która spełnia potrzeby aplikacji opartych na danych, takich jak zaawansowane smartfony, komputery PC, dyski SSD i centra danych. Aby sprostać wymaganiom dotyczącym wysokiej wydajności, wysokiej gęstości i wydajności kosztowej, zoptymalizowaliśmy szereg zaawansowanych technologii. Obejmują one technologię CBA (CMOS directly Bonded to Array) w procesie tworzenia frontendu oraz technologię montażu w procesie tworzenia backendu.
Technologia CBA w procesie tworzenia frontendu
8 generacja pamięci flash 3D BiCS FLASH™ firmy KIOXIA składa się z 218 warstw i wykorzystuje technologię łączenia płytek CBA (CMOS directly Bonded to Array), czyli innowację architektoniczną, która spełnia potrzeby zastosowań skoncentrowanych na danych, takich jak zaawansowane smartfony, komputery, dyski SSD i centra danych. Gdy liczy się wydajność, wysoka gęstość i opłacalność, zapewnić może to pamięć flash 3D BiCS FLASH™.
Dzięki technologii CBA każda płytka CMOS i płytka matrycy komórkowej jest produkowana oddzielnie w optymalnym stanie, a następnie są ze sobą łączone w celu zapewnienia zwiększonej gęstości bitów i prędkości wejścia/wyjścia NAND. Produkcja komórek i urządzeń peryferyjnych oddzielnie umożliwia optymalizację każdej z nich, co eliminuje konieczność kompromisu między niezawodnością komórek a prędkością we/wy oraz zapewnia duży skok wydajności, gęstości, opłacalności i zrównoważonego charakteru produktu.*1
Rozmowa
Pamięć flash 3D o dużej gęstości wykorzystująca precyzyjne łączenie płytek wnosi nową wartość do pamięci masowej
W ostatnich latach producenci pamięci flash skupiali się głównie na opracowywaniu technologii zwiększających liczbę warstw komórek pamięci oraz gęstość pamięci. Za każdym razem, gdy wypuszczana jest nowa generacja pamięci flash, wzrasta liczba warstw, a niektóre produkty mają ich ponad 200. Jednak, jak wyjaśnia Atsushi Inoue, wiceprezes działu pamięci w KIOXIA, „Zwiększenie liczby warstw komórek pamięci to tylko jeden ze sposobów na zwiększenie pojemności i gęstości pamięci, a my zajmujemy się nie tylko zwiększaniem liczby warstw”.
Technologia montażu w procesie tworzenia backendu
Firma KIOXIA opracowała pamięć flash o dużej pojemności 8TB, składając 32 matryce pamięci flash, z których każda ma pojemność 2Tb w jednym opakowaniu. To rozwiązanie pamięciowe było możliwe dzięki naszym zaawansowanym procesom backendowym, w tym rozcieńczaniu płytek, projektowaniu materiałów i technologiom łączenia przewodów.
Technologia BiCS FLASH™ 8 generacja – dlaczego CBA?
Dzięki technologii CBA każda płytka CMOS i płytka matrycy komórkowej jest produkowana oddzielnie w optymalnym stanie, a następnie są ze sobą łączone w celu zapewnienia zwiększonej gęstości bitów i prędkości wejścia/wyjścia NAND. Produkcja komórek i urządzeń peryferyjnych oddzielnie umożliwia optymalizację każdej z nich, co eliminuje konieczność kompromisu między niezawodnością komórek a prędkością we/wy oraz zapewnia duży skok wydajności, gęstości, opłacalności i zrównoważonego charakteru produktu.*1
Technologie BiCS FLASH™
Najważniejsze cechy
Wyższa gęstość przechowywania na kość niż w przypadku konwencjonalnej pamięci flash
Wysoka prędkość odczytu/zapisu
Większa niezawodność niż w przypadku pamięci NAND 2D (płaskiej)
Niski pobór energii
* W porównaniu z technologią płaską 2D
Optymalne zastosowania
Wydajność centrum przetwarzania danych
Pamięć flash BiCS FLASH™ 3D została zaprojektowana z myślą o najtrudniejszych problemach centrów danych:
Zasada działania pamięci flash 3D
Zasada działania pamięci flash 3D jest wyjaśniona w komputerowo generowanej (CG) animacji, w której jest przeciwstawiana temu, w jaki sposób świeci słońce (w języku japońskim z angielskimi napisami).
Skalowalna technologia pamięci flash 3D BiCS FLASH™ firmy KIOXIA zwiększa pojemność pamięci do najwyższego poziomu osiągniętego do tej pory*2
Technologia TLC (komórki trójpoziomowe) i QLC (komórki czteropoziomowe)
Linia produktów pamięci flash 3D BiCS FLASH™ obejmuje technologię TLC (3 bity na komórkę) i QLC (4 bity na komórkę). Technologia QLC znacznie zwiększa pojemność, zwiększając liczbę bitów danych na komórkę pamięci z trzech do czterech. Pojemność 4 terabajtów (TB) można uzyskać w jednej obudowie, korzystając z technologii QLC BiCS FLASH™ w architekturze 16 kości.
Prowadzimy dyski w kierunku większej gęstości i wydajności pamięci
Firma KIOXIA jako jeden z pierwszych graczy w branży stworzyła i przygotowała się do pomyślnej migracji technologii z SLC do MLC, z MLC do TLC, a teraz robi to samo dla TLC do QLC.
Technologia QLC firmy KIOXIA jest idealna do zastosowań wymagających rozwiązań o wysokiej gęstości i niższych kosztach magazynowania. Współczesne rozwiązania QLC zmniejszają zużycie dzięki najwyższej gęstości dostępnej w jednej obudowie, co umożliwia skalowanie rozwiązań pamięci masowej.
- Cechy i typowe ulepszenia właściwości w porównaniu z poprzednią generacją pamięci flash 3D TLC BiCS FLASH™.
- Źródło: KIOXIA – komunikat prasowy z 3 lipca 2024 r.
Products by Applications
Whether it’s automotive applications or compact high performance-oriented PCs or cloud server and hyperscale data center deployments, by delivering advanced high performance, high density, low power, low latency, reliability and more—KIOXIA memory and storage solutions enable the success of emerging applications and allow existing technologies to reach their expected potential.
Informacje i oceny
Support
Please contact us if you have any technical questions, requests for materials, are interested in samples or purchases of business products (Memory, SSD), etc.
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
