Please select your location and preferred language where available.
Pamięć flash BiCS FLASH™ 3D
Nowa era innowacji pamięci flash
KIOXIA, która wynalazła pamięć flash NAND ponad 35 lat temu, jest obecnie jednym z największych na świecie dostawców pamięci flash — i nadal rozwija tę technologię. Wprowadzenie pamięci flash BiCS FLASH™ 3D firmy KIOXIA w 2007 r. wzmocniło reputację firmy jako lidera innowacji technologicznych, wprowadzając rewolucyjny proces pionowego układania w stosy i skalowania bocznego w celu znacznego zwiększenia liczby komórek pamięci na jednostkę powierzchni. Rezultatem jest przełomowa architektura pamięci flash, która odpowiada na nieustające zapotrzebowanie na zwiększoną gęstość i wydajność pamięci masowej.
Pamięć flash BiCS FLASH™ 3D – stworzona specjalnie do Twoich zastosowań
KIOXIA 3D Flash Memory „BiCS FLASH™” to przełomowa innowacja, która spełnia potrzeby aplikacji opartych na danych, takich jak zaawansowane smartfony, komputery PC, dyski SSD i centra danych. Aby sprostać wymaganiom dotyczącym wysokiej wydajności, wysokiej gęstości i wydajności kosztowej, zoptymalizowaliśmy szereg zaawansowanych technologii. Obejmują one technologię CBA (CMOS directly Bonded to Array) w procesie tworzenia frontendu oraz technologię montażu w procesie tworzenia backendu.
KIOXIA 3D Flash Memory „BiCS FLASH™” to przełomowa innowacja, która spełnia potrzeby aplikacji opartych na danych, takich jak zaawansowane smartfony, komputery PC, dyski SSD i centra danych. Aby sprostać wymaganiom w zakresie wysokiej gęstości i wydajności, każda generacja BiCS FLASH™ opiera się na udoskonaleniach i postępie technologicznym swoich poprzedników i została zaprojektowana z myślą o konkretnych przypadkach użycia i rozważaniach dotyczących planowania kapitału. Możesz mieć pewność, że wybór produktów pamięci flash 3D firmy KIOXIA pomoże Ci spełnić szybko zmieniające się wymagania dotyczące pamięci masowej i wydajności nowoczesnych narzędzi i aplikacji technologicznych.
Wszystkie generacje produktów BiCS FLASH™ wspierają ważny cel firmy Kioxia, jakim jest dostarczanie światu zrównoważonych rozwiązań technologicznych.
Poznaj technologię i strategię BiCS FLASH™ firmy KIOXIA (wideo)
Strategia migracji pamięci flash BiCS FLASH™ 3D
W pamięci flash 3D, gdy liczba warstw przekroczy pewien punkt, zaczyna negatywnie wpływać na wydajność i efektywność energetyczną. Aby wyeliminować te negatywne skutki, firma KIOXIA opracowała kolejne przełomy w zakresie różnych ulepszeń technologicznych. Dzisiaj, po BiCS FLASH™ generacji 8 rozwijamy równolegle generacje 9. i 10.
Migracja BiCS FLASH™ obejmująca zróżnicowane wymagania z wieloma węzłami
- „Gen”. reprezentuje generację BiCS FLASH™.
Jak wyszczególniono na załączonym schemacie powyżej, KIOXIA oferuje szereg generacji technologii BiCS FLASH™, z których każda została zaprojektowana w celu spełnienia określonych wymagań w zakresie gęstości, wydajności i efektywności energetycznej. Strategia dwuosiowa firmy KIOXIA — podejście biznesowe i technologiczne, które opracowuje dwie oddzielne linie pamięci flash 3D w celu zaspokojenia różnych potrzeb rynku — oferuje wysokowydajną pamięć flash do wielu różnych zastosowań.
Zastosowania korzystają z technologii BiCS FLASH™
BiCS FLASH™ generacja 8 – nowa architektura, niezrównane korzyści
BiCS FLASH™ generacja 8 zapewnia znaczące udoskonalenia dzięki zastosowaniu dwóch nowych technologii, CMOS bezpośrednio połączonego z matrycą (CBA) i On Pitch Select Gate (OPS), w procesie produkcji pamięci flash. Mówiąc najprościej, układy CBA i OPS to techniki produkcji i projektowania, które napędzają wzrost gęstości, wydajności i efektywności energetycznej.
BiCS FLASH™ generacja 8 to idealne rozwiązanie technologiczne dla klientów, których wymagania dotyczące przechowywania są zagrożone przez eksplozję aplikacji intensywnie przetwarzających dane i możliwości sztucznej inteligencji.
Ulepszenia generacji 8 w stosunku do generacji 6 w technologii BiCS FLASH™
Następne generacje technologii BiCS FLASH™
Film o pamięci BiCS FLASH™ generacja 9
Imponująca wydajność i energooszczędność
BiCS FLASH™ 9 generacji 512Gb i 1Tb TLC (Triple-Level Cell) są przeznaczone do obsługi aplikacji wymagających wysokiej wydajności i wyjątkowej efektywności energetycznej w małej i średniej pojemności pamięci masowej. Produkty BiCS FLASH™ 9. generacji wykorzystują istniejące technologie CBA i OPS, aby poprawić wydajność produkcji i dostarczać najnowocześniejsze rozwiązania pamięci flash.
- Zdjęcie przedstawia urządzenia pamięciowe 1Tb TLC.
Film o pamięci BiCS FLASH™ generacja 10
Przyszłość pamięci flash 3D
Produkty BiCS FLASH™ generacji 10 wykorzystują tę samą technologię CMOS, co 9 generacji, i zawierają rozszerzenie liczby warstw pamięci, aby zaspokoić przyszłe zapotrzebowanie na wysokowydajne rozwiązania o większej pojemności. Dzięki wiodącym w branży warstwom 332, które są 1,5 raza większe niż w przypadku generacji 8, KIOXIA nadal dokonuje znaczących postępów w zakresie gęstości bitowej pamięci flash i wydajności energetycznej.
Innowacyjne technologie, które otwierają drogę do zwiększenia wydajności
U podstaw głównych ulepszeń obecnych produktów BiCS FLASH™ leży kilka przełomowych innowacji technologicznych. Poprawa gęstości, wydajności i efektywności energetycznej została osiągnięta dzięki postępom w projektowaniu i procesach montażu pamięci flash. Dowiedz się, w jaki sposób układy CBA, OPS i 32-die tworzą przyszłość pamięci flash 3D.
Produkty według zastosowania
Niezależnie od tego, czy chodzi o zastosowania motoryzacyjne, kompaktowe komputery PC o wysokiej wydajności, serwery w chmurze i wdrożenia hiperskalowych centrów danych, pamięci i rozwiązania do przechowywania KIOXIA zapewniają między innymi zaawansowaną wysoką wydajność, wysoką gęstość, niską moc, niskie opóźnienia i niezawodność, w ten sposób umożliwiają sukces nowych zastosowań, a istniejącym technologiom pozwalają osiągnąć oczekiwany potencjał.
Informacje i oceny
Support
Please contact us if you have any technical questions, requests for materials, are interested in samples or purchases of business products (Memory, SSD), etc.
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
