Please select your location and preferred language where available.
Innowacyjne technologie, które otwierają drogę do zwiększenia wydajności
U podstaw głównych ulepszeń obecnych produktów BiCS FLASH™ leży kilka przełomowych innowacji technologicznych. Poprawa gęstości, wydajności i efektywności energetycznej została osiągnięta dzięki postępom w projektowaniu i procesach montażu pamięci flash. Dowiedz się, w jaki sposób technologie CBA (CMOS directly Bonded to Array), OPS (On Pitch Select Gate) oraz moduły pamięci składające się z 32 kości kształtują przyszłość pamięci flash 3D.
Technologia CBA w procesie tworzenia frontendu
Rozmowa
High-density 3D flash memory using high-precision wafer bonding brings new value to storage
In recent years, flash memory manufacturers have focused primarily on developing technologies to increase the number of layers of memory cells and increase memory density. Each time a new generation of flash memory is released, the number of layers increases with some products boasting more than 200 layers. However, as Atsushi Inoue, Vice President of Memory Division at KIOXIA, explained, "Increasing the layers of memory cells is only one way of increasing capacity and memory density, and we are not exclusively preoccupied with the number of layers."
Technologia OPS
Tradycyjnie między komórkami pamięci istniały nieużywane „sympatyczne” obszary, zmniejszając gęstość pamięci. Dzięki OPS te niepotrzebne obszary są usuwane, co pozwala na umieszczenie większej liczby rzeczywistych komórek pamięci w tej samej przestrzeni. To znacznie zwiększa gęstość pamięci.
Technologia montażu w procesie tworzenia backendu
Firma KIOXIA opracowała pamięć flash o dużej pojemności 8TB, składając 32 matryce pamięci flash, z których każda ma pojemność 2Tb w jednym opakowaniu. To rozwiązanie pamięciowe było możliwe dzięki naszym zaawansowanym procesom backendowym, w tym rozcieńczaniu płytek, projektowaniu materiałów i technologiom łączenia przewodów.
Rozmowa
Leading the AI Evolution with Innovative 2mm Flash Memory Assembly Technology
32 memory dies assembled into a single package
The rapid growth of AI has accelerated demand for flash memory capacity. KIOXIA has successfully developed large-capacity 8 TB (terabyte) flash memory by assembling 32 pieces of 2 Tb (terabit) memory dies into a package less than 2 mm in height. This achievement was made possible with advanced assembly process technologies, including the technology for making wafers as thin as possible.
Podstawy technologii BiCS FLASH™ wspólne dla wszystkich pokoleń
Pamięć flash BiCS FLASH™ 3D w układzie pionowym układa komórki pamięci, znacznie zwiększając gęstość zapisu. Ta podobna do wieżowca architektura pokonuje ograniczenia pamięci flash 2D (płaskiej), która porządkuje komórki w formacie obok siebie. Zwiększenie odległości między komórkami zmniejsza zakłócenia między komórkami, zapewniając lepszą gęstość, wydajność i efektywność energetyczną w porównaniu z pamięcią flash 2D.
Technologia TLC (komórki trójpoziomowe) i QLC (komórki czteropoziomowe)
Linia produktów pamięci flash 3D BiCS FLASH™ obejmuje technologię TLC (3 bity na komórkę) i QLC (4 bity na komórkę). Technologia QLC znacznie zwiększa pojemność, zwiększając liczbę bitów danych na komórkę pamięci z trzech do czterech. Pojemność 4 terabajtów (TB) można uzyskać w jednej obudowie, korzystając z technologii QLC BiCS FLASH™ w architekturze 16 kości.
Firma KIOXIA jako jeden z pierwszych graczy w branży stworzyła i przygotowała się do pomyślnej migracji technologii z SLC do MLC, z MLC do TLC, a teraz robi to samo dla TLC do QLC.
Technologia QLC firmy KIOXIA jest idealna do zastosowań wymagających rozwiązań o wysokiej gęstości i niższych kosztach magazynowania. Współczesne rozwiązania QLC zmniejszają zużycie dzięki najwyższej gęstości dostępnej w jednej obudowie, co umożliwia skalowanie rozwiązań pamięci masowej.
Produkty według zastosowania
Niezależnie od tego, czy chodzi o zastosowania motoryzacyjne, kompaktowe komputery PC o wysokiej wydajności, serwery w chmurze i wdrożenia hiperskalowych centrów danych, pamięci i rozwiązania do przechowywania KIOXIA zapewniają między innymi zaawansowaną wysoką wydajność, wysoką gęstość, niską moc, niskie opóźnienia i niezawodność, w ten sposób umożliwiają sukces nowych zastosowań, a istniejącym technologiom pozwalają osiągnąć oczekiwany potencjał.
Support
Please contact us if you have any technical questions, requests for materials, are interested in samples or purchases of business products (Memory, SSD), etc.
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
