Please select your location and preferred language where available.
XL-FLASH™ |
Pamięć masowa (SCM)
Opracowana z myślą o prędkości: rozwiązanie pamięci masowej (SCM) o niskiej latencji i wysokiej wydajności
Dostrzegając rosnące zapotrzebowanie na elastyczne i niedrogie rozwiązania pamięci masowej (SCM), firma KIOXIA opracowała XL-FLASH™, niezwykle wydajną pamięć flash o bardzo małych opóźnieniach. Pamięci XL-FLASH™ zostały opracowane w celu wyeliminowania luki w wydajności, która aktualnie występuje między pamięciami ulotnymi, takimi jak pamięć DRAM, i stosowanymi obecnie pamięciami flash. Jak każda pamięć flash, XL-FLASH™ może zachować dane po odłączeniu od źródła zasilania. KIOXIA ogłosiła wprowadzenie na rynek drugiej generacji pamięci XL-FLASH™ z funkcją MLC.
Zbudowana w oparciu o technologię pamięci flash BiCS FLASH™ 3D firmy KIOXIA, pamięć XL-FLASH™ została opracowana, aby pomóc centrom danych, dostawcom usług w chmurze i przedsiębiorstwom w spełnianiu potrzeb coraz bardziej wymagających aplikacji. Pamięć XL-FLASH™ charakteryzuje łatwość zarządzania i skalowania, wyposażona jestw kości 128 gigabitów (Gb) dla SLC / 256 gigabitów (Gb) dla MLC (w obudowach z 2, 4 lub 8 kośćmi), rozmiar strony 4kB zapewniający bardziej wydajny odczyt i zapis przez system operacyjny, krótki czas odczytu i programowania strony oraz latencję odczytu poniżej 5 mikrosekund.
Kluczowe cechy pamięci masowej SCM KIOXIA XL-FLASH™
- Architektura 16-płaszczyznowa o ulepszonej latencji
- Protokół/pakiet kompatybilny z pamięcią flash
- Krótki czas odczytu i programowania strony
- Wysoka niezawodność komórek
- Skalowalna technologia BiCS FLASH™ 3D
- Rozmiar strony 4KB zapewniający bardziej wydajny odczyt i zapis przez system operacyjny
- Kość 128Gb (SLC) / 256Gb (MLC) (pakiety z 2, 4 i 8 kośćmi – już dostępne)
Przełomowa technologia XL-FLASH™
Rozwiązanie o wysokiej wydajności i niskiej latencji
XL-FLASH™ ma unikalną 16-płaszczyznową architekturę zapewniającą ulepszoną latencję. W odróżnieniu od konwencjonalnych urządzeń pamięci flash, linie słów i bitów są krótkowymiarowe i zoptymalizowane pod kątem struktury obwodu, co radykalnie zmniejsza latencję odczytu/zapisu.
Wysoka niezawodność komórek
Technologia XL-FLASH™ została zaprojektowana z pamięcią flash o wysokiej niezawodności komórek wspierającą zastosowania o dużej częstotliwości zapisu.
Łatwe zarządzanie
Pamięć XL-FLASH™ wykorzystuje standardowy interfejs i działa zgodnie z istniejącymi protokołami i produktami pamięci flash.
Główne zastosowania XL-FLASH™
Serwer pamięci masowej
Serwer chmury / serwer brzegowy
Automatyka / cyfrowa opieka zdrowotna / transport / monitoring / robotyka / drony / bezpieczeństwo / Digital Signage / usługi sieciowe (sieć 5G) / PoS (punkty sprzedaży)
Informacje i oceny
Specyfikacje XL-FLASH™
*Tabelę można przewijać poziomo.
| Pojemność | Numer części | Technologia | Komórka | Temperatura pracy (°C) | Obudowa | Status |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 64 GB | TH58LKG9DA5BA4R | BiCS FLASH™ | MLC
Obsługiwany tryb SLC |
od 0 do 70 | 154Ball BGA 11.5x13.5mm |
Produkcja |
| 128 GB | TH58LKT0DA5BA8R | |||||
| 256 GB | TH58LKT1DA5BA8S |
Wsparcie
W razie jakichkolwiek pytań technicznych, próśb o materiały, zainteresowania próbkami lub zakupami produktów biznesowych (pamięci, dysków SSD) itp. prosimy o kontakt.
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
