Please select your location and preferred language where available.
BENAND™ dla producentów OEM i przemysłu
BENAND™: Odciążanie procesorów hosta
A versatile, multi-application SLC (single-level cell) NAND flash memory with embedded error correction code (ECC), KIOXIA BENAND™ removes the burden of ECC from the host processor while maintaining the compliant specifications, reliability and performance with RAW SLC NAND flash memory. This enables it to be used with host controllers that do not have 8-bit ECC capability. Many legacy designs still use processors that do not have 8-bit ECC capability, making BENAND™ a viable option for companies looking to design in a newer-generation NAND flash memory solution with existing hardware.
Wszechstronna, pamięć flash SLC (komórka jednopoziomowa) NAND do wielu zastosowań z wbudowanym kodem korekcji błędów (ECC) KIOXIA BENAND™ usuwa obciążenie ECC z procesora hosta, zachowując zgodność ze specyfikacjami, niezawodność i wydajność co nieprzetworzona pamięć flash SLC NAND. Dzięki temu może być używana ze sterownikami hosta, które nie mają 8-bitowej funkcji ECC. Wiele starszych projektów nadal wykorzystuje procesory, które nie mają 8-bitowego systemu ECC, co czyni rozwiązanie BENAND™ realną opcją dla firm chcących zaprojektować rozwiązanie nowej generacji oparte na pamięci NAND flash z istniejącym sprzętem.
Najważniejsze cechy KIOXIA BENAND™
- Wbudowany silnik ECC
- Technologia przetwarzania pamięci flash 24 nm SLC NAND
- Dostępne wersje 1 Gb, 2 Gb, 4 Gb i 8 Gb i szeroka gama pojemności
- Kompatybilność: Interfejs, podstawowe funkcje i sekwencja poleceń są zgodne z tymi w pamięci flash SLC NAND
Kluczowa technologia KIOXIA BENAND™
Density Range and Operation Temperature
BENAND™ is offered in 1Gb to 8Gb densities and available in commercial temperature (0℃ to 70℃) and industrial temperature (-40℃ to 85℃) options.
Zakres gęstości i temperatura pracy
Technologia BENAND™ jest dostępna w wersjach o gęstości od 1 Gb do 8 Gb oraz w wersjach temperaturowych do zastosowań komercyjnych (od 0°C do 70°C) i przemysłowych (od -40°C do 85°C).
Wysoka niezawodność i wysoka wydajność
Pamięć flash SLC NAND, 1 bit na komórkę zapewnia wyższą trwałość cykli programowania/usuwania niż większość pamięć o większej liczbie bitów na komórkę (MLC/TLC/QLC).
Wyprodukowano w procesie 24 nm
Pamięć flash KIOXIA SLC NAND wykorzystuje technologię procesów 24 nm w celu optymalizacji skalowalności i trwałości.
BENAND™ oferuje wewnętrzną funkcję ECC
KIOXIA BENAND™ z wewnętrzną funkcją ECC oferuje rozwiązanie dla starszych procesorów hosta. KIOXIA BENAND™ jest dostępna w wersjach o gęstościach 1 Gb, 2 Gb, 4 Gb i 8 Gb z obudowami TSOP i BGA. (TSOP: Thin Small Outline Package, BGA: Ball Grid Array)
Najważniejsze zastosowania KIOXIA BENAND™
Konsola do gier / Smart TV / zestawy VR / Set-Top-Box / cyfrowy rejestrator wideo / inteligentny głośnik / inteligentny dom / urządzenia ubieralne / domowe monitorowanie zdrowia / sieć domowa
Automatyka / cyfrowa opieka zdrowotna / transport / monitoring / robotyka / drony / bezpieczeństwo / Digital Signage / usługi sieciowe (sieć 5G) / PoS (punkty sprzedaży)
Informacje i oceny
Linia produktów
|
Gęstość |
|
|
|
|
|---|
Kliknij dowolny element, aby wyświetlić szczegółową linię produktów i pobrać kartę danych.
Można przeszukiwać całą listę pamięci flash SLC NAND w oparciu o ich charakterystyki.
Support
Please contact us if you have any technical questions, requests for materials, are interested in samples or purchases of business products (Memory, SSD), etc.
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
