Please select your location and preferred language where available.
Pamięci e-MMC i UFS dla konsumentów i przemysłu
Zaawansowane rozwiązania wbudowanej pamięci: Napędzanie teraźniejszości i przyszłości zastosowań konsumenckich i przemysłowych
Wysokowydajne urządzenia z wbudowaną pamięcią flash UFS firmy KIOXIA integrują pamięć flash BiCS FLASH™ 3D i kontroler w jednym pakiecie. Wbudowany kontroler zarządza korekcją błędów, wyrównywaniem zużycia, translacją adresów i zarządzaniem złymi blokami, ułatwiając rozwój systemu, obniżając wymagania procesora, przyspieszając czas wprowadzania na rynek i poprawiając użyteczność.
Dynamiczny rozwój: KIOXIA UFS 5.0 wyznacza nowy standard prędkości i wydajności mobilnej
Pamięć UFS 5.0 przenosi technologię wbudowanej pamięci masowej na wyższy poziom, zapewniając jeszcze większą szybkość przesyłania i lepszą wydajność energetyczną przyszłych smartfonów, tabletów i urządzeń mobilnych opartych na sztucznej inteligencji. Opierając się na postępach swoich poprzedników, pamięć UFS 5.0 wykorzystuje MIPI® M-PHY® w wersji 6.0 High Speed Gear6 i UniPro® w wersji 3.0, obsługując teoretyczne prędkości interfejsu do 10,8 GB/s(1) (10 830 MB/s) na urządzenie. Pamięć UFS 5.0 zachowuje kompatybilność wsteczną z pamięcią UFS 4.1, zapewniając płynną integrację z istniejącymi platformami, jednocześnie zapewniając zwiększoną wydajność i obsługę najnowszych innowacji w zakresie pamięci flash.
Rozmowa
New Era of On-device AI Driven by High-speed UFS 5.0 Storage
UFS 5.0, featuring a theoretical high-speed interface of 10.8 GB/s, is almost here. KIOXIA believes that the adoption of UFS 5.0 in smartphones will further advance on-device AI. This is because high-speed UFS 5.0, with high-capacity, will allow for the storage of Large Language Models (LLMs) and Retrieval-Augmented Generation (RAG) databases.
Najważniejsze cechy i zalety skanera KIOXIA UFS 5.0
Najważniejsze cechy
- Interfejs szeregowy
- Zwiększona szybkość interfejsu do 10,8 GB/s na urządzenie(1)
- Najnowszy standard JEDEC®
- Pojemność: 512 GB, 1 TB(2)
- MIPI M-PHY wersja 6.0 High Speed Gear6
Imponująca wydajność
Pamięć UFS 5.0 zapewnia znaczną poprawę wydajności, a prędkości odczytu i zapisu sekwencyjnego wzrastają odpowiednio o 123% i 113% w porównaniu z urządzeniami UFS 4.1.(3)* Taką wysoką wydajność umożliwia High-Speed Gear6 osiągając prędkość interfejsu dzięki nowym technologiom, takim jak PAM-4.
* Urządzenie 1 TB, wydajność na poziomie sterownika w porównaniu z pamięcią UFS 4.1 o pojemności 1 TB
Zwiększona wydajność energetyczna i zarządzanie temperaturą
Pamięć UFS 5.0 oferuje lepszą wydajność energetyczną i termiczną, zmniejszając zużycie energii podczas pracy i wytwarzanie ciepła w celu uzyskania wyższej trwałej wydajności w porównaniu z UFS 4.1.
UFS 5.0 vs UFS 4.1
Firma KIOXIA oferuje zarówno dyski UFS 4.1, jak i najnowsze rozwiązania pamięci flash UFS 5.0, z których każde zawiera zintegrowany kontroler i zaawansowaną korekcję błędów. Technologia UFS upraszcza projektowanie systemu, odciążając zarządzanie pamięcią masową przez procesor hosta i umożliwiając łatwiejszą integrację.
Pamięć UFS 5.0 wprowadza kilka ulepszeń w stosunku do pamięci UFS 4.1, w tym:
- Większa szybkość interfejsu dla większej przepustowości danych
- Ulepszona wydajność odczytu/zapisu sekwencyjnego i losowego
- Większa efektywność energetyczna dla wymagających urządzeń nowej generacji
Te ulepszenia sprawiają, że pamięć UFS 5.0 jest dobrze przystosowana do wysokiej klasy urządzeń mobilnych, które będą w stanie obsługiwać sztuczną inteligencję na urządzeniu dzięki szybszym prędkościom interfejsu UFS 5.0.
Dlaczego warto wybrać pamięć KIOXIA UFS
KIOXIA kontynuuje tradycję innowacji, wprowadzając rozwiązania pamięci flash UFS 5.0, które odpowiadają na potrzeby stale rosnącej prędkości i wydajności w nowoczesnych pamięciach masowych wbudowanych. Opierając się na latach przywództwa technologicznego i doświadczeniu pionierów w branży, KIOXIA UFS 5.0 są projektowane z myślą o wymagających zastosowaniach, takich jak sztuczna inteligencja na urządzeniach w smartfonach i innych wysokowydajnych systemach komputerowych.
Pamięć UFS 5.0 dla zaawansowanych aplikacji
Standard pamięci UFS 5.0 zapewnia znaczne skoki prędkości transferu danych, lepszą responsywność i dalsze zoptymalizowane zużycie energii. Funkcje te przekładają się na bezproblemowe doświadczenia – umożliwiając szybkie ładowanie aplikacji, ultraszybkie pobieranie danych i wydajną wielozadaniowość w najbardziej intensywnych zastosowaniach mobilnych i osadzonych.
Wraz z ewolucją produktów cyfrowych, które wymagają większej szybkości reakcji i elastyczności, pamięć flash KIOXIA UFS 5.0 pomaga producentom zapewnić kolejną falę innowacyjnych doświadczeń użytkownika z imponującą poprawą wydajności.(3)*
- Odczyt sekwencyjny: 10 000 MB/s +123%
- Zapis sekwencyjny (WB): 9 000 MB/s +113%
- Odczyt losowy: 1 160 KIOPS +71%
- Zapis losowy: 1 020 KIOPS +59%
* Urządzenie 1 TB, wydajność na poziomie sterownika w porównaniu z pamięcią UFS 4.1 o pojemności 1 TB
Kluczowa technologia KIOXIA UFS
Wsparcie PAM-4**
PAM-4, czyli modulacja amplitudy impulsu z 4 poziomami, to technologia, która umożliwia urządzeniom wysyłanie większej ilości informacji w każdym sygnale przy użyciu czterech różnych mocy sygnału zamiast tylko dwóch. Takie podejście skutecznie podwaja ilość danych, które mogą być przesyłane bez konieczności dodatkowych połączeń lub przewodów. W pamięci UFS 5.0 PAM-4 umożliwia znacznie szybsze przesyłanie danych. W rezultacie użytkownicy mogą szybciej uruchamiać aplikacje, szybciej przesyłać pliki i płynniej pracować, co pomaga urządzeniom nadążyć za wymaganiami nowoczesnych aplikacji, mediów o wysokiej rozdzielczości i wielozadaniowości.
** Kluczowa technologia HS-Gear6 tylko w pamięci UFS 5.0
Funkcja WriteBooster
Funkcja WriteBooster zwiększa wydajność zapisu, wykorzystując istniejący obszar danych użytkownika jako tymczasowy bufor SLC bez utraty wydajności. Maksymalny rozmiar bufora SLC może być skonfigurowany przez hosta w konfiguracji urządzenia, a host może zapisywać dane do bufora do momentu jego wypełnienia. Ta funkcja jest włączana dynamicznie podczas pracy przez hosta w zależności od wymagań wydajności systemu sieci 5G i innych zastosowań.
Obsługa funkcji HS-LSS (High Speed Link Startup Sequence)
W przypadku konwencjonalnych UFS uruchomienie połączenia (sekwencja inicjalizacji M-PHY i UniPro) pomiędzy urządzeniem a hostem odbywa się z niską prędkością PWM-G1 (3~9 Mb/s*), ale dzięki HS-LSS może to odbywać się z wyższą prędkością HS-G1 A (1248 Mb/s). Oczekuje się, że skróci to czas uruchomienia połączenia o około 70% w porównaniu z konwencjonalną metodą.
*** Prędkość komunikacji PWM-G1 zależy od produktu.
Technologia pamięci Flash 3D nowej generacji
Pamięć KIOXIA UFS 5.0 wykorzystuje najnowocześniejsze pamięci flash BiCS FLASH™ 3D i wprowadza dalsze optymalizacje sterowników, zaprojektowane w celu maksymalizacji przepustowości, zapewnienia mniejszych opóźnień i wydajnego spełniania rygorystycznych wymagań nowoczesnych urządzeń mobilnych, samochodowych i korporacyjnych.
Najważniejsze zastosowania pamięci KIOXIA UFS 5.0
Wysokiej klasy smartfon / sztuczna inteligencja w urządzeniu
Tablety / komputery stacjonarne
Gaming
Szybka transmisja strumieniowa / pamięć masowa konsoli
Informacje i oceny
Dane techniczne pamięci UFS 5.0
*Tabelę można przewijać poziomo.
| Pojemność(2) | Numer części | Pamięć UFS Wersja |
Maks. dane Szybkość (MB/s) |
Napięcie zasilające | Robocza temperatura (℃) |
Rozmiar obudowy (mm) |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VCC (V) |
V CCQ/V CCQ_M (V) |
VCCQ2 (V) |
||||||
| 512 GB | THGJFST2E48BATM | 5.0 | 10 830 | 2,4 do 2,7 | 1,14 do 1,26 | - (4) | -25 do 85 | 7,5x13,0x0,8 |
| 1 TB | THGJFST3E88BATN | 7,5x13,0x0,9 | ||||||
Pamięć UFS 4.1/3.1 i e-MMC
Pamięć UFS 4.1/3.1 firmy KIOXIA oferuje błyskawiczne prędkości transferu danych z wbudowanej pamięci masowej, umożliwiając smartfonom i aplikacjom mobilnym nowej generacji korzystanie z sieci mobilnych 5G i AI.
Linia produktów e-MMC firmy KIOXIA zapewnia interfejs zgodny z JEDEC w wersji 5.1, eliminując potrzebę bezpośredniego sterowania pamięcią flash przez użytkowników.
- 1 GB/s oblicza się jako 1 000 000 000 bajtów/s, a 1MB/s oblicza się jako 1 000 000 bajtów/s. Jest to wartość teoretyczna obliczona na podstawie szybkości interfejsu, a szybkość urządzenia użytkownika nie jest gwarantowana. Szybkość odczytu i zapisu może się różnić w zależności od urządzenia hosta, warunków odczytu i zapisu oraz wielkości pliku.
- Gęstość produktu jest określana na podstawie gęstości układów pamięci w produkcie, a nie ilości pamięci dostępnej do przechowywania danych dla użytkownika końcowego. Pojemność użytkowa klienta będzie mniejsza ze względu na obszary danych ogólnych, formatowanie, uszkodzone sektory i inne ograniczenia, a także może się zmieniać w zależności od urządzenia hosta i zastosowania. Szczegółowe informacje można znaleźć w odpowiednich specyfikacjach produktu. Definicja 1 KB = 2^10 bajtów = 1024 bajtów. Definicja 1 Gb = 2^30 bitów = 1 073 741 824 bitów. Definicja 1 GB = 2^30 bajtów = 1 073 741 824 bajtów. 1 Tb = 2^40 bitów = 1 099 511 627 776 bitów.
- Dane dotyczące wydajności są oparte na testach wewnętrznych. Rzeczywiste wyniki mogą się różnić w zależności od urządzenia, na którym uruchomiono aplikację, sposobu użytkowania oraz innych czynników.
- Ten produkt obsługuje dwa źródła zasilania: VCC and VCCQ/VCCQ_M. VCCQ2 nie jest konieczne.
- JEDEC jest zastrzeżonym znakiem towarowym JEDEC Solid State Technology Association
- MIPI®, M-PHY® i UniPro® są zarejestrowanymi znakami towarowymi należącymi do MIPI Alliance.
Wsparcie
W razie jakichkolwiek pytań technicznych, próśb o materiały, zainteresowania próbkami lub zakupami produktów biznesowych (pamięci, dysków SSD) itp. prosimy o kontakt.
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
