Please select your location and preferred language where available.
Pamięci UFS 3.1
dla konsumentów i przemysłu
Pamięć UFS: Zwiększenie wydajności w wymagających zastosowaniach
Pamięć UFS (Universal Flash Storage) firmy KIOXIA została zaprojektowana jako nowa generacja wysokowydajnych pamięci wbudowanych mającą zastąpić pamięci e-MMC. Zapewnia ultraszybką wydajność odczytu/zapisu, niskie zużycie energii i krótki czas uruchamiania aplikacji, spełniając tym samym wymagania szerokiej gamy cyfrowych produktów konsumenckich.
Pamięć UFS ma interfejs szeregowy, który zmniejsza liczbę pinów sygnałowych, upraszczając routing. Obsługuje również działanie w pełnym dupleksie, umożliwiając równoczesny odczyt i zapis między procesorem hosta a urządzeniem UFS. Zwiększa to ogólną wydajność systemu i poprawia wydajność urządzeń mobilnych.
Rozwiązania UFS firmy KIOXIA są zgodne ze standardem JEDEC/UFS w wersji 3.1 i integrują firmową pamięć flash BiCS FLASH™ 3D ze sterownikiem w obudowie zgodnej ze standardem JEDEC.
Najważniejsze cechy pamięci KIOXIA UFS (Universal Flash Storage)
- Interfejs szeregowy
- Odczyty/zapisy z dużą prędkością
- Niska liczba pinów
- 256 GB, 512 GB
- Obudowa 153ball BGA o wymiarach 11 x 13mm i 11,5 x 13mm
- Norma JEDEC
Pamięć UFS 4.0 nowej generacji (UFS w wersji 4.0)
Pamięć UFS 4.0 oferuje błyskawiczne prędkości transferu danych z wbudowanej pamięci masowej, umożliwiając smartfonom i aplikacjom mobilnym nowej generacji korzystanie z sieci mobilnych 5G. Pamięć UFS 4.0 zawiera rozwiązania MIPI M-PHY 5.0 High-Speed Gear 5 i UniPro2.0 oraz obsługuje teoretyczne prędkości interfejsu do 23,2 Gb/s na ścieżkę lub 46,4 Gb/s na urządzenie. Pamięć UFS 4.0 jest wstecznie kompatybilna z pamięcią UFS 3.1, dzięki czemu istniejące platformy mogą korzystać z najnowszej generacji technologii pamięci flash używanej w urządzeniach UFS 4.0, jednocześnie uwzględniając wszystkie dotychczasowe funkcje pamięci UFS 3.1.
Dwa rodzaje zarządzanej pamięci Flash przez interfejs magistrali
KIOXIA oferuje pamięci UFS i e-MMC, rodzinę pamięci flash o dużej pojemności ze zintegrowanym kontrolerem. Te rozwiązania pamięci flash zapewniają funkcje ECC i inne funkcje sterowania zoptymalizowane pod kątem poszczególnych generacji technologii pamięci flash. Pamięci UFS i e-MMC zmniejszają obciążenie procesora hosta, upraszczają opracowywanie produktów, skracają czas wprowadzania produktów na rynek i zwiększają łatwość stosowania produktów pamięci.
W porównaniu z e-MMC, pamięć UFS zapewnia:
- Szybszy interfejs
- Wyższą wydajność odczytu i zapisu
- Opcje o wyższej gęstości
- Obsługę pełnego dupleksowania
- Większą energooszczędność
Funkcja zarządzania obejmuje zarządzanie uszkodzonymi sektorami, wyrównywanie zużycia i usuwanie elementów bezużytecznych.
Kluczowa technologia KIOXIA UFS
Funkcja WriteBooster
Funkcja WriteBooster zwiększa wydajność zapisu, wykorzystując istniejący obszar danych użytkownika jako tymczasowy bufor SLC bez utraty wydajności. Maksymalny rozmiar bufora SLC może być skonfigurowany przez hosta w konfiguracji urządzenia, a host może zapisywać dane do bufora do momentu wypełnienia buforu.
Ta funkcja jest włączana dynamicznie podczas pracy przez hosta w zależności od wymagań wydajności systemu 5G i innych aplikacji.
Zwiększenie wydajności hosta (HPB)
HPB wer. 2.0 poprawia wydajność losowego odczytu poprzez buforowanie tabel translacyjnych danych logicznych do fizycznych (tabela L2P) z urządzenia do pamięci po stronie hosta, a host może zainicjować operację odczytu wraz z tabelą L2P, dzięki czemu urządzenie może po prostu odczytać dane z fizycznego adresu podanego przez hosta.
Ta funkcja może zwiększyć dostęp do losowego odczytu w szerokim zakresie adresów, co zazwyczaj powoduje spadek wydajności z powodu aktualizacji wielu tabeli w urządzeniu.
Zaawansowana technologia
KIOXIA UFS wykorzystuje wysokowydajną technologię pamięci flash BiCS FLASH™ 3D w celu optymalizacji wydajności.
Zakres gęstości i obudowa
Urządzenia UFS są dostępne w wersjach o gęstości do 1 TB* i z różnymi rozmiarami obudów. Pamięć UFS spełnia wymagania aplikacji przechowujących duże ilości danych, zdjęć i filmów.
- Stan na sierpień 2022 r.
Najważniejsze zastosowania pamięci UFS KIOXIA
Notebook / Ultrabook™ / Tablet / Komputer stacjonarny / Komputer do gier
Smartfony / smartwatche / inteligentne okulary
Konsola do gier / Smart TV / zestawy VR / Set-Top-Box / cyfrowy rejestrator wideo / inteligentny głośnik / inteligentny dom / urządzenia ubieralne / domowe monitorowanie zdrowia / sieć domowa
Automatyka / cyfrowa opieka zdrowotna / transport / monitoring / robotyka / drony / bezpieczeństwo / Digital Signage / usługi sieciowe (sieć 5G) / PoS (punkty sprzedaży)
Informacje i oceny
Specyfikacja techniczna UFS 3.1
*Tabelę można przewijać poziomo.
| Pojemność | Numer części | Pamięć UFS Wersja |
Maks. dane Szybkość (MB/s) |
Napięcie zasilające | Robocza temperatura (℃) |
Rozmiar obudowy (mm) |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VCC (V) |
VCCQ (V) |
VCCQ2 (V) |
||||||
| 256 GB | THGJFGT1E45BAIP | 3.1 | 2320 | 2,4 do 2,7, 2,7 do 3,6 |
1,14 to 1,26 | - (1) | -25 do 85 | 11,0 x 13,0 x 0,8 |
| 512 GB | THGJFGT2T85BAIU | 11,0 x 13,0 x 1,0 | ||||||
- Ten produkt obsługuje dwa źródła zasilania: VCC i VCCQ. Nie ma potrzeby zasilania VCCQ2.
Pamięć UFS 4.0
Pamięć UFS 4.0 firmy KIOXIA oferuje błyskawiczne prędkości transferu danych z wbudowanej pamięci masowej, umożliwiając smartfonom i aplikacjom mobilnym nowej generacji korzystanie z sieci mobilnych 5G.
Support
Please contact us if you have any technical questions, requests for materials, are interested in samples or purchases of business products (Memory, SSD), etc.
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
