Please select your location and preferred language where available.
UFS 4.1/3.1 – właściwy wybór dla dzisiejszych potrzeb w zakresie wydajności
Opracowana z myślą o tym, by stać się preferowanym rozwiązaniem w zakresie pamięci wbudowanej dla aplikacji mobilnych, technologia KIOXIA Universal Flash Storage (UFS) zapewnia przełomowe prędkości odczytu i zapisu, niskie zużycie energii oraz szybkie uruchamianie aplikacji, co jest wymagane w szerokiej gamie produktów cyfrowych.
Rozwiązania KIOXIA UFS 4.1/3.1 są zgodne ze standardem JEDEC® i łączą w sobie technologię pamięci flash BiCS FLASH™ 3D firmy KIOXIA z kontrolerem w obudowie zgodnej ze standardem JEDEC.
Wprowadzając nową erę technologii wbudowanych pamięci masowych, KIOXIA UFS zapewnia skok innowacji w porównaniu z poprzednimi standardami technologii zarządzanej flash dla aplikacji wymagających większych prędkości i większej wydajności.
Cechy i zalety pamięci UFS KIOXIA 4.1
Pamięć UFS 4.1 oferuje błyskawiczne prędkości transferu danych z wbudowanej pamięci masowej, umożliwiając smartfonom i aplikacjom mobilnym nowej generacji korzystanie z sieci mobilnych 5G i AI. Pamięć UFS 4.0 zawiera rozwiązania MIPI® M-PHY® 5.0 High-Speed Gear 5 and UniPro® w wersji 2.0 oraz obsługuje teoretyczne prędkości interfejsu do 23,2 Gb/s na ścieżkę lub 46,4 Gb/s(1) na urządzenie. Pamięć UFS 4.1 jest wstecznie kompatybilna z pamięcią UFS 3.1, dzięki czemu istniejące platformy mogą korzystać z najnowszej generacji technologii pamięci flash używanej w urządzeniach UFS 4.1, jednocześnie uwzględniając wszystkie dotychczasowe funkcje pamięci UFS 3.1.
Najważniejsze cechy
- Duża szybkość interfejsu szeregowego
- Wyższą wydajność odczytu i zapisu
- Optymalna wydajność energetyczna
- Obsługę pełnego dupleksowania
- Niska liczba pinów
- Zestawy BGA 9x13 mm
- Standard JEDEC
- 256 GB, 512 GB, 1 TB(2)
Większa wydajność(3)
Wydajność odczytu i zapisu sekwencyjnego w urządzeniach UFS 4.1 poprawiła się odpowiednio o około 100 i 150 procent w porównaniu z urządzeniami UFS 3.1.* Technologia WriteBooster została zastosowana w celu zwiększenia prędkości zapisu sekwencyjnego w celu szybszego pobierania, przyspieszenia nagrywania filmów w wysokiej rozdzielczości i przyspieszenia gier mobilnych.
* Urządzenie UFS 3.1 512 GB firmy Kioxia Corporation „THGJFGT2T85BAIU”
Mały rozmiar obudowy
Rozwiązania UFS 4.1 obsługują małą obudowę 9 mm x 13 mm, co przekłada się na zmniejszenie rozmiaru o 18% w porównaniu z UFS 3.1 oraz jeszcze większą oszczędność przestrzeni w zastosowaniach mobilnych, umożliwiając dalsze zmniejszanie i „wyszczuplanie” telefonów.
Cechy KIOXIA UFS 3.1
- Interfejs szeregowy
- Odczyty/zapisy z dużą prędkością
- Niska liczba pinów
- 128 GB, 256 GB, 512 GB(2)
- Obudowa BGA 11 x 13 mm 153 Ball
- Standard JEDEC
Porównanie pamięci UFS 4.1 z UFS 3.1
KIOXIA oferuje pamięci UFS 5.0, UFS 4.1 i UFS 3.1, rodzinę pamięci flash o dużej pojemności ze zintegrowanym sterownikiem. Te rozwiązania pamięci flash zapewniają funkcje ECC i inne funkcje sterowania zoptymalizowane pod kątem poszczególnych generacji technologii pamięci flash. Pamięci UFS zmniejszają obciążenie procesora hosta, upraszczają opracowywanie produktów, skracają czas wprowadzania produktów na rynek i zwiększają łatwość stosowania produktów pamięci.
W porównaniu z pamięciami UFS 3.1, UFS 4.1 zapewnia:
- Szybszy interfejs
- Wyższą wydajność odczytu i zapisu
Dlaczego warto wybrać pamięć KIOXIA UFS
KIOXIA kontynuuje tradycję innowacji, wprowadzając rozwiązania pamięci flash UFS 5.0, które odpowiadają na potrzeby stale rosnącej prędkości i wydajności w nowoczesnych pamięciach masowych wbudowanych. Opierając się na latach przywództwa technologicznego i doświadczeniu pionierów w branży, KIOXIA UFS 5.0 są projektowane z myślą o wymagających zastosowaniach, takich jak sztuczna inteligencja na urządzeniach w smartfonach i innych wysokowydajnych systemach komputerowych.
Pamięć UFS najnowszej generacji 5.0 firmy KIOXIA
Pamięć UFS 5.0 przenosi technologię wbudowanej pamięci masowej na wyższy poziom, zapewniając jeszcze większą szybkość przesyłania i lepszą wydajność energetyczną przyszłych smartfonów, tabletów i urządzeń mobilnych opartych na sztucznej inteligencji. Opierając się na postępach swoich poprzedników, pamięć UFS 5.0 wykorzystuje MIPI M-PHY w wersji 6.0 High Speed Gear6 i UniPro w wersji 3.0, obsługujące teoretyczne prędkości interfejsu do 10,8 GB/s(1) (10 830 MB/s) na urządzenie. Pamięć UFS 5.0 zachowuje kompatybilność wsteczną z pamięcią UFS 4.1, zapewniając płynną integrację z istniejącymi platformami, jednocześnie zapewniając zwiększoną wydajność i obsługę najnowszych innowacji w zakresie pamięci flash.
Kluczowa technologia KIOXIA UFS 4.1/3.1
Funkcja WriteBooster
Funkcja WriteBooster zwiększa wydajność zapisu, wykorzystując istniejący obszar danych użytkownika jako tymczasowy bufor SLC bez utraty wydajności. Maksymalny rozmiar bufora SLC może być skonfigurowany przez hosta w konfiguracji urządzenia, a host może zapisywać dane do bufora do momentu jego wypełnienia. Ta funkcja jest włączana dynamicznie podczas pracy przez hosta w zależności od wymagań wydajności systemu sieci 5G i innych zastosowań.
Obsługa funkcji HS-LSS (High Speed Link Startup Sequence)**
W przypadku konwencjonalnych UFS uruchomienie połączenia (sekwencja inicjalizacji M-PHY iUniPro) pomiędzy urządzeniem a hostem odbywa się z niską prędkością PWM-G1 (3~9 Mb/s)***, ale dzięki HS-LSS może to odbywać się z wyższą prędkością HS-G1 A (1248 Mb/s). Oczekuje się, że skróci to czas uruchomienia połączenia o około 70% w porównaniu z konwencjonalną metodą.
** Kluczowa technologia tylko w pamięci UFS4.1
*** Prędkość komunikacji PWM-G1 zależy od produktu.
Zaawansowana technologia
KIOXIA UFS wykorzystuje wysokowydajną technologię pamięci flash BiCS FLASH™ 3D w celu optymalizacji wydajności.
Najważniejsze zastosowania pamięci KIOXIA UFS 4.1/3.1
Notebook / Ultrabook™ / Tablet / Komputer stacjonarny / Komputer do gier
Smartfony / smartwatche / inteligentne okulary
Konsola do gier / Smart TV / zestawy VR / Set-Top-Box / cyfrowy rejestrator wideo / inteligentny głośnik / inteligentny dom / urządzenia ubieralne / domowe monitorowanie zdrowia / sieć domowa
Automatyka / cyfrowa opieka zdrowotna / transport / monitoring / robotyka / drony / bezpieczeństwo / Digital Signage / usługi sieciowe (sieć 5G) / PoS (punkty sprzedaży)
Informacje i oceny
Specyfikacja techniczna UFS 4.1/3.1
Pamięć UFS 4.1
*Tabelę można przewijać poziomo.
| Pojemność(2) | Numer części | Pamięć UFS Wersja |
Maks. dane Szybkość (MB/s) |
Napięcie zasilające | Robocza temperatura (℃) |
Rozmiar obudowy (mm) |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VCC (V) |
VCCQ (V) |
VCCQ2 (V) |
||||||
| 256 GB | THGJFRT1E45BATV | 4.1 | 4640 | 2,4 do 2,7 | 1,14 do 1,26 | - (4) | -25 do 85 | 9,0 x 13,0 x 0,8 |
| 512 GB | THGJFRT2E48BATV | 9,0 x 13,0 x 0,8 | ||||||
| 1 TB | THGJFRT3E88BATW | 9,0 x 13,0 x 0,85 | ||||||
Pamięć UFS 3.1
*Tabelę można przewijać poziomo.
| Pojemność(2) | Numer części | Pamięć UFS Wersja |
Maks. dane Szybkość (MB/s) |
Napięcie zasilające | Robocza temperatura (℃) |
Rozmiar obudowy (mm) |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VCC (V) |
VCCQ (V) |
VCCQ2 (V) |
||||||
| 128 GB | THGJFPT0E18BAIP | 3.1 | 2320 | 2,4 do 2,7, 2,7 do 3,6 |
1,14 do 1,26 | - (4) | -25 do 85 | 11,0 x 13,0 x 0,8 |
| 256 GB | THGJFPT1E28BAIP | |||||||
| 512 GB | THGJFPT2E48BAIP | |||||||
- Definicja 1 Gbps jest obliczana jako 1 000 000 000 bitów/s. Definicja 1 GB/s jest obliczana jako 1 000 000 000 bajtów/s, a 1 MB/s jest obliczana jako 1 000 000 bajtów/s. Jest to wartość teoretyczna obliczona na podstawie szybkości interfejsu, a szybkość urządzenia użytkownika nie jest gwarantowana. Szybkość odczytu i zapisu może się różnić w zależności od urządzenia hosta, warunków odczytu i zapisu oraz wielkości pliku.
- Gęstość produktu jest określana na podstawie gęstości układów pamięci w produkcie, a nie ilości pamięci dostępnej do przechowywania danych dla użytkownika końcowego. Pojemność użytkowa klienta będzie mniejsza ze względu na obszary danych ogólnych, formatowanie, uszkodzone sektory i inne ograniczenia, a także może się zmieniać w zależności od urządzenia hosta i zastosowania. Szczegółowe informacje można znaleźć w odpowiednich specyfikacjach produktu. Definicja 1 KB = 2^10 bajtów = 1024 bajtów. Definicja 1 Gb = 2^30 bitów = 1 073 741 824 bitów. Definicja 1 GB = 2^30 bajtów = 1 073 741 824 bajtów. 1 Tb = 2^40 bitów = 1 099 511 627 776 bitów.
- Dane dotyczące wydajności są oparte na testach wewnętrznych. Rzeczywiste wyniki mogą się różnić w zależności od urządzenia, na którym uruchomiono aplikację, sposobu użytkowania oraz innych czynników.
- Ten produkt obsługuje dwa źródła zasilania: VCC i VCCQ. VCCQ2 nie jest konieczne.
- JEDEC jest zastrzeżonym znakiem towarowym JEDEC Solid State Technology Association
- MIPI®, M-PHY® i UniPro® są zarejestrowanymi znakami towarowymi należącymi do MIPI Alliance.
- Intel jest znakiem towarowym firmy Intel Corporation lub jej spółek zależnych.
Wsparcie
W razie jakichkolwiek pytań technicznych, próśb o materiały, zainteresowania próbkami lub zakupami produktów biznesowych (pamięci, dysków SSD) itp. prosimy o kontakt.
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
