Please select your location and preferred language where available.
Innovatieve technologieën die wegen vrijmaken naar hogere capaciteit
De belangrijkste verbeteringen van de huidige generatie BiCS FLASH™-producten worden ondersteund door verschillende baanbrekende technologische innovaties. Verbeteringen in dichtheid, prestaties en energie-efficiëntie werden bereikt door vooruitgang in ontwerp- en montageprocessen voor flashgeheugen-engineering. Ontdek hoe CMOS direct gebonden aan Array (CBA) , On Pitch Select Gate (OPS) en 32-chip-geheugen de toekomst van 3D-flashgeheugen leveren.
Technologie in het front-end proces
Interview
High-density 3D flash memory using high-precision wafer bonding brings new value to storage
In recent years, flash memory manufacturers have focused primarily on developing technologies to increase the number of layers of memory cells and increase memory density. Each time a new generation of flash memory is released, the number of layers increases with some products boasting more than 200 layers. However, as Atsushi Inoue, Vice President of Memory Division at KIOXIA, explained, "Increasing the layers of memory cells is only one way of increasing capacity and memory density, and we are not exclusively preoccupied with the number of layers."
OPS-technologie
Vroeger waren er tussen de geheugencellen altijd ongebruikte ‘dummy’-gebieden, waardoor de geheugendichtheid lager was. Met OPS worden deze onnodige dummygebieden verwijderd, waardoor meer werkelijke geheugencellen in dezelfde ruimte kunnen worden geplaatst. Dit verhoogt de geheugendichtheid aanzienlijk.
Montagetechnologie in het back-end proces
KIOXIA ontwikkelde een 8TB flashgeheugen met hoge capaciteit door 32 flashgeheugen-chips, elk met een capaciteit van 2TB, in één pakket te monteren. Deze geheugenoplossing werd mogelijk gemaakt door onze geavanceerde back-end processen, waaronder wafer thinning, materiaalontwerp en wire bonding-technologieën.
Interview
Leading the AI Evolution with Innovative 2mm Flash Memory Assembly Technology
32 memory dies assembled into a single package
The rapid growth of AI has accelerated demand for flash memory capacity. KIOXIA has successfully developed large-capacity 8 TB (terabyte) flash memory by assembling 32 pieces of 2 Tb (terabit) memory dies into a package less than 2 mm in height. This achievement was made possible with advanced assembly process technologies, including the technology for making wafers as thin as possible.
Grondbeginselen van BiCS FLASH™-technologieën die in alle generaties terugkomen
BiCS FLASH™ 3D-flashgeheugen stapelt geheugencellen verticaal, waardoor de opslagdichtheid aanzienlijk toeneemt. Deze wolkenkrabberachtige architectuur doorbreekt de beperkingen van 2D (planair) flashgeheugen, dat cellen naast elkaar rangschikt. Het vergroten van de afstand tussen cellen vermindert de interferentie tussen cellen, waardoor een betere dichtheid, prestaties en energie-efficiëntie mogelijk zijn in vergelijking met het 2D-flashgeheugen.
TLC (triple-level cel) en QLC (cel op viervoudig niveau) technologie
Het BiCS FLASH™ 3D flashgeheugenproductassortiment omvat zowel 3-bit-per-cel (TLC) als 4-bit-per-cel (QLC) technologie. QLC-technologie breidt de capaciteit aanzienlijk uit door het aantal bits voor gegevens per geheugencel van drie naar vier te verhogen. Een capaciteit van 4 terabyte (TB) kan in één pakket worden bereikt met behulp van BiCS FLASH™ QLC-technologie in een 16-chip gestapelde architectuur.
KIOXIA was een van de eerste spelers in de sector die zich de succesvolle migratie van SLC-technologie naar MLC voorzag en zich erop voorbereidde, van MLC naar TLC, en van TLC naar QLC.
De QLC-technologie van KIOXIA is ideaal voor toepassingen die opslagoplossingen met een hoge dichtheid en lagere kosten vereisen. De huidige QLC-technologie verkleint de benodigde ruimte dankzij de hoogste opslagdichtheid die in één enkele chip beschikbaar is, waardoor de opslagoplossing schaalbaar wordt.
Producten per applicatie
Of het nu gaat om autotoepassingen of compacte, high performance-georiënteerde pc's of cloudserver- en hyperscale datacenterimplementaties, door geavanceerde hoge prestaties, hoge dichtheid, laag vermogen, lage latentie, betrouwbaarheid en meer te leveren: KIOXIA-geheugen- en opslagoplossingen maken het succes van opkomende toepassingen mogelijk en stellen bestaande technologieën in staat hun verwachte potentieel te bereiken.
Support
Please contact us if you have any technical questions, requests for materials, are interested in samples or purchases of business products (Memory, SSD), etc.
In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
